• <tr id='REURQC'><strong id='REURQC'></strong><small id='REURQC'></small><button id='REURQC'></button><li id='REURQC'><noscript id='REURQC'><big id='REURQC'></big><dt id='REURQC'></dt></noscript></li></tr><ol id='REURQC'><option id='REURQC'><table id='REURQC'><blockquote id='REURQC'><tbody id='REURQC'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='REURQC'></u><kbd id='REURQC'><kbd id='REURQC'></kbd></kbd>

    <code id='REURQC'><strong id='REURQC'></strong></code>

    <fieldset id='REURQC'></fieldset>
          <span id='REURQC'></span>

              <ins id='REURQC'></ins>
              <acronym id='REURQC'><em id='REURQC'></em><td id='REURQC'><div id='REURQC'></div></td></acronym><address id='REURQC'><big id='REURQC'><big id='REURQC'></big><legend id='REURQC'></legend></big></address>

              <i id='REURQC'><div id='REURQC'><ins id='REURQC'></ins></div></i>
              <i id='REURQC'></i>
            1. <dl id='REURQC'></dl>
              1. <blockquote id='REURQC'><q id='REURQC'><noscript id='REURQC'></noscript><dt id='REURQC'></dt></q></blockquote><noframes id='REURQC'><i id='REURQC'></i>

                LLC Resonant filtering

                吸收電容器與半導體部件並聯連接是為了降低其高頻開關操作產生的高壓峰值。 諧振電容器必須承受持█續性高頻交流電壓,通常■是正弦波,並且需要有一定◎的承受過壓的能力。 對於吸收電容和諧振電容,自溫升和耐脈沖能力都是關鍵的參數。
                Product Features Product Specifications Product Certification
                吸收和諧振
                 
                Cs 吸收電容: 保護半導體在開↙關時免受過電壓和電流沖擊,開關電路中避免⌒產生電弧。
                CR 諧振電容:LC系統中產生特定頻率的振蕩
                Cs 可選用 MPC22、PPS、MRC
                CR 可選用MPC84、MPC23
                容值範圍 630V:6.8~47nF
                1250V:4.7~27nF
                2000V:1.0~4.7nF
                630V:15~100nF
                1250V:6.8~56nF
                2000V:2.2~27nF
                630V:47~470nF
                1250V:33~220nF
                2000V:10~100nF
                外觀尺寸 13*(7~12)*(4~8) 18*(9~18)*(5~10) 26.5*(15~23)*(6~14)
                腳距 P10 P15 P22.5
                電壓 630V/1250V/2000V 630V/1250V/2000V 630V/1250V/2000V
                精度 J J J
                基膜厚度 6~12um 6~12um 6~12um
                留邊距離 2~3mm 2~3mm 2~3mm
                方阻 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/
                最新標準 GB/T3984.1-2004、GB/T3984.2-2004