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                MEA

                吸收和ξ 諧振 吸收電容器與◢半導體部件並聯連接是為了降低其高頻開關∏操作產生的高壓峰值。 諧振電容器必須承受持續性高頻交流電壓,通常是正弦波,並且需要有一定的承受過壓的能力。 對於吸收電容和■諧振電容,自溫升█和耐脈沖能力都是關鍵的參數。 吸收脈沖可選ㄨ用 MPC25、PPS 諧振電容可選用MPC24、MPC03
                Product Features Product Specifications Product Certification
                典型運用場合』:繼電器、可控矽吸收回▲路

                膜材質:MPE膜

                引線材質:CP/鍍錫銅線
                 

                 

                容值範圍 0.01uF~75uF 0.01uF~12.0uF 0.022uF~10.0uF 0.01uF~10.0uF
                外觀尺寸 (16~57)*(6~32)*(4~20) (16~46)*(6~32)*(4~20) (12~46)*(6~32)*(4~20) (16~57)*(6~33)*(4~24)
                腳距 W16,W24 W26,W32,W36,W46,W57 W12,W24 W26,W32,W36,W46 W12,W24 W26,W32,W36,W46 W16,W24 W26,W32,W36,W46,W57
                電壓 100VDC 250VDC 400VDC 630VDC
                精度 ±5%,±10% ±5%,±10% ±5%,±10% ±5%,±10%
                基膜厚度 5~12 5~12 5~12 5~12
                留邊距離 ≥1.5mm ≥1.5mm ≥1.5mm ≥1.5mm
                方阻 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/
                最新標準 GB/T 6346.11-2015