回首頁
|
中文版
|
English
公司簡介
公司簡介
產品認證
產品介紹
金屬化聚丙烯薄膜
MMKP82 雙面膜∑電容
金屬化聚酯薄膜
DC-Link
吸收電容
諧振電容
PFC端電容
高溫高濕用薄膜電容器
阻容降壓用金屬化薄膜電容器
FOR LED DRIVER
MXY
MRC
聚丙烯膜-箔式
聚酯膜-箔式
X2 CLASS Capacitor
招商合作
招商合作
新聞動態
人才招聘
活動集錦
聯系我們
首頁
> 產品介紹 >
吸收電容
金屬化聚丙烯薄膜
CBB61
CL23X
CBB21
CBB20
CBB23
CBB81
MMKP82 雙面膜電容
金屬化聚酯薄膜
CL21
CL20
CL23
CL21X
DC-Link
吸收電容
諧振電容
PFC端電容
高溫高濕用薄膜電容器
X2 高溫高☉濕電容器
阻容降壓用金屬化薄膜電容器
FOR LED DRIVER
MXY
MRC
聚丙烯膜-箔式
CBB13
聚酯膜-箔式
CL11
CL12
X2 CLASS Capacitor
X2系列series
MPC
吸收和諧振∩ 吸收電♂容器與半導體部件並聯連接是為了降低其高頻開關操作產』生的高壓峰值。 諧振電容器必須承受持續性高頻交流電壓,通常㊣ 是正弦波,並且需要有一定的承受過壓的能力。 對於吸收電容和諧∞振電容,自溫升和耐脈沖能力都是關鍵的參數。 吸收脈沖可選用 MPC25、PPS 諧振電容可選用MPC24、MPC03
產品特性
產品規格
產品認證
典型運用場合:繼電器、可控矽吸收回路
膜材質:MPP膜
引線材質:CP/鍍錫銅線/焊片
容值範圍
400V:10~68nF
630V:33~390nF
1250V:6.8~56nF
2000V:1.0~6.8nF
400V:150~2200nF
630V:100~1200nF
1250V:22~220nF
2000V:1.5~33nF
400V:1000~5600nF
630V:680~3300nF
1250V:100~680nF
2000V:22~100nF
630V:1000~10000nF
1250V:150~1800nF
2000V:68~560nF
外觀尺寸
L*W*H
18*(9~18)*(5~10)
26.5*(15~23)*(6~14)
32*(20~30)*(11~22)
42*(22~48)*(12~32)
腳距
P15
P22.5
P27.5
P37.5
電壓
400V/630V/1250V/2000V
400V/630V/1250V/2000V
400V/630V/1250V/2000V
630V/1250V/2000V
精度
J
J
J
J
基膜厚度
6~12um
6~12um
6~12um
6~12um
留邊距離
2~3mm
2~3mm
2~3mm
2~3mm
方阻
2~10Ω/
□
2~10Ω/
□
2~10Ω/
□
2~10Ω/
□
最新標準
GB/T14579 (IEC60384-17)