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                LLC諧振電路

                吸收電容器與半導體部件並∏聯連接是為了降低其高頻手中開關操作產生的高壓峰值。 諧振電容器必須承受持續性高頻交流電壓,通常是正弦波,並且需要有一定你明白了嗎的承受過壓的能力。 對於吸收電容和諧振電容♂,自溫升和耐脈沖能力都是關鍵的參數。
                產品特性 產品規格 產品認證
                容值範圍 630V:6.8~47nF
                1250V:4.7~27nF
                2000V:1.0~4.7nF
                630V:15~100nF
                1250V:6.8~56nF
                2000V:2.2~27nF
                630V:47~470nF
                1250V:33~220nF
                2000V:10~100nF
                外觀尺寸 13*(7~12)*(4~8) 18*(9~18)*(5~10) 26.5*(15~23)*(6~14)
                腳距 P10 P15 P22.5
                電壓 630V/1250V/2000V 630V/1250V/2000V 630V/1250V/2000V
                精度 J J J
                基膜厚度 6~12um 6~12um 6~12um
                留邊距離 2~3mm 2~3mm 2~3mm
                方阻 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/
                最新標準 GB/T3984.1-2004、GB/T3984.2-2004

                 

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