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                MPC

                吸收』和諧振 吸收電容器與半導體部件並聯■連接是為了降低其高頻開關操作產≡生的高壓峰值。 諧振電▂容器必須承受持續性高頻交流電壓,通常々是正弦波,並且需要有一定的承受過壓◥的能力。 對於吸收電容和諧振電容,自溫∮升和耐脈沖能力都是關鍵的參數。 吸收脈沖可╱選用 MPC25、PPS 諧振電容可選用MPC24、MPC03
                產品特性 產品規格 產品認證
                典型運用場合:繼電器、可龍族控矽吸收回路

                膜材質:MPP膜

                引線材質:CP/鍍錫銅線/焊片
                 

                 

                容值範圍 400V:10~68nF
                630V:33~390nF
                1250V:6.8~56nF
                2000V:1.0~6.8nF
                400V:150~2200nF
                630V:100~1200nF
                1250V:22~220nF
                2000V:1.5~33nF
                400V:1000~5600nF
                630V:680~3300nF
                1250V:100~680nF
                2000V:22~100nF
                630V:1000~10000nF
                1250V:150~1800nF
                2000V:68~560nF
                外觀尺寸
                L*W*H
                18*(9~18)*(5~10) 26.5*(15~23)*(6~14) 32*(20~30)*(11~22) 42*(22~48)*(12~32)
                腳距 P15 P22.5 P27.5 P37.5
                電壓 400V/630V/1250V/2000V 400V/630V/1250V/2000V 400V/630V/1250V/2000V 630V/1250V/2000V
                精度 J J J J
                基膜厚度 6~12um 6~12um 6~12um 6~12um
                留邊距離 2~3mm 2~3mm 2~3mm 2~3mm
                方阻 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/
                最新標準 GB/T14579 (IEC60384-17)

                 

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